Уважаемые покупатели, наш магазин находится по новому адресу г.Киров Транспортный проезд 3 и начинает работу с 20.11.2023
Предоставляем услуги фулфилмента (сервис услуг для маркетплейсов), консультацию можно получить по номеру +7-912-820-15-45
Акция месяца! скидка 5% подробнее в разделе "Статьи"!
Купим поддоны в хорошем состоянии, размер 1200*800 просьба с предложениями писать на почту info@prozapchast24.ru
Накопитель SSD M.2 2280 250GB Samsung (MZ-V7E250BW) для компьютера
Название: | Накопитель SSD M.2 2280 250GB Samsung (MZ-V7E250BW) |
Оригинальные коды товара:
?
Samsung | MZ-V7E250BW |
Оставить отзыв
Накопитель SSD M.2 2280 250GB Samsung (MZ-V7E250BW)
Твердотельные накопители Samsung серии 970 EVO обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая технология V-NAND, новый контроллер Phoenix и технология Intelligent TurboWrite расширяют игровые возможности и возможности редактирования графики формата 4K и 3D.
Почувствуйте разницу с интерфейсом NVMe. Благодаря новому контроллеру Phoenix и технологии Intelligent TurboWrite накопитель серии 970 EVO оптимизирует высокопроизводительные игры и ресурсоемкие процессы, связанные с обработкой графики. Вы можете достичь впечатляющих скоростей на операциях последовательного чтения/записи 3500/2500 МБ/с*, что на 32% выше, чем в предыдущем поколении.
Новое достижение в SSD накопителях с интерфейсом NVMe. Накопители серии 970 EVO обладают емкостью до 2 ТБ в компактном форм-факторе M.2 (2280), что значительно экономит пространство для других компонентов. Инновационная технология Samsung дает вам возможность делать больше и добиваться большего.
Накопитель SSD M.2 2280 500GB Samsung может похвастать ресурсом записи до 1,200 TBW* с 5-летней, что на 50 процентов превышает соответствующий показатель SSD накопителей предыдущего поколения. Такой ресурс стал возможным благодаря новейшей технологии V-NAND и качеству от Samsung.
Производитель: Samsung
Модель: M.2 2280 250GB
Артикул: MZ-V7E250BW
Тип: внутренний
Объём памяти: 250 GB
Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC
Форм-фактор: M.2
Интерфейс: PCI-E 3.0 (x4)
Скорость чтения, макс.: 3400 Mb/s
Скорость записи, макс.: 1500 Mb/s
Наработка на отказ: 1.5 млн.часов
Страна производства: Южная Корея
Гарантия, мес: 60
Остались вопросы?